MODULO DE MEMORIA RAM

7.MODULO DE MEMORIA RAM

lés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporcionan 4 bits por módulo. Se usó en sistemas 80286 y ha sido reemplazada por la SIMM, que es más fácil de instalar y proporciona 16 bits por módulo.

SIMM

o para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-21C.

DIMM

son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como Módulo de Memoria en linea doble. Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro

Las memorias SO-DIMM'(Small Outline DIMM) consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales, contando con 144 contactos y con un tamaño de aproximadamente la mitad de un módulo SIMM.

MICRODIM

or dual in-line memory module, comprises a series of dynamic random access memory integrated circuits. These modules are mounted on a printed circuit board and designed for use in personal computers, workstations and servers. DIMMs began to replace SIMMs (single in-line memory modules) as the predominant type of memory module as Intel's Pentium processors began to gain market share.

DIMMs

is that DIMMs have separate electrical contacts on each side of the module, while the contacts on SIMMs on both sides are redundant. Another difference is that standard SIMMs have a 32-bit data path, while standard DIMMs have a 64-bit data path. Since Intel's Pentium has (as do several other processors) a 64-bit bus width, it requires SIMMs installed in matched pairs in order to complete the data bus. The processor would then access the two SIMMs simultaneously. DIMMs were introduced to eliminate this practice

DRAM

(Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinamica de [[acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

EDORAM

es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el área de trabajo para la mayor parte del software de un computador.1 Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada cache, pero ésta sólo es una copia (de acceso rápido) de la memoria principal (típicamente discos duros) almacenada en los módulos de RAM.1

Se trata de una memoria de estado sólido tipo DRAM en la que se puede tanto leer como escribir información. Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se dicen "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.

BEDO RAM

es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el área de trabajo para la mayor parte del software de un computador.1 Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada cache, pero ésta sólo es una copia (de acceso rápido) de la memoria principal (típicamente discos duros) almacenada en los módulos de RAM.1

SDRAM

SDRAM Síncronos Dinamice Random Access Memory (SDRAM) es una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) que tiene una interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador. El reloj también permite controlar una máquina de estados finitos interna que controla la función de "pipeline" (segmentación) de las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrón de operación más complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una interfaz de sincronización.

SDR SDRAM

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A pesar de SDRAM DDR es ahora el tipo de memoria de más bajo costo disponibles, SDR SDRAM se sigue utilizando hoy en día.

Altera y sus socios proporcionan soluciones completas de sistemas, incluyendo la garantía técnica, soporte de software, tableros de demostración, la propiedad intelectual (IP) núcleos, y diseños de referencia para ayudarle con éxito interfaz de Altera ® FPGAs a los recuerdos de DEG. La tabla 1 recoge SDR SDRAM de memoria de interfaz de ayuda al rendimiento en Fugas de Altera Cuadro 1. SDR SDRAM Interfaz de memoria de rendimiento de Apoyo

SDR SDRAM de dispositivos de interfaz de rendimiento

DDR SDRAM

(Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAMcompuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 nublé.

Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intelcon su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio.

DRDRAM

Definición: Directa Rambús DRAM: una arquitectura de memoria RAM totalmente nuevo, con control del bus (el Rambus Channel Máster) y una nueva vía (el Canal de Rambus) entre los dispositivos de memoria (el Canal de Rambus esclavos).Un solo canal Rambus tiene el potencial de llegar a los 500 Mbps en modo de ráfaga, un 20 - aumento de veces en DRAM

SLDRAM

Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono(SLDRAM), o Memoria de acceso al azar dinámica de Synclink, es de alta velocidad memoria de acceso al azar similar a DRDRAM, no obstante sin el diseño propietario. Fue desarrollado por el consorcio de SLDRAM, que consiste en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria del ordenador. Es abra el estándar y no requiere los honorarios que licencian que son requeridos por la tecnología de DRDRAM.

Esta tecnología entrega funcionamiento grandemente mejorado sobre SDRAM tecnología sin el uso totalmente de una nueva arquitectura al igual que el DRDRAM. La llamada de las especificaciones para a 64-bitautobús funcionamiento en un reloj de 200 megaciclos frecuencia. Esto es alcanzada por todas las señales que están en la misma línea y de tal modo que evitan la época de sincronización de líneas múltiples.

FPM DRAM

Siglas de Fasta Page Modo,memoria en modo paginado, el diseño más común de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo FAT Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término “fas” fue añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más

Statu Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que, a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica

DISEÑO

A six-transistor CMOS SRAM cell.

Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cuál fuera la última posición de memoria leída o escrita. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un visitable. Este visitable tendrá dos estados, utilizados para almacenar un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al vistéale durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM típica utilizará seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, podemos encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o más transistores por bit.^{[1] [2] [3]} Esto es utilizado para implementar más de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video.

Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el tamaño de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricación, al poder implementar más celdas en una misma oblea de silicio.

Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres transistores^{[4] [5]} o un solo transistor estaríamos hablando de memoria DRAM, no SRAM.

El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos transistores de acceso M₅ y M₆, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los márgenes de ruido.

Modos de operación de una SRAM

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operación: Sandy, en el cual el circuito está en reposo, Reading o lectura, durante el cual los datos son leídos desde la memoria, y rating o escritura, durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.

Si bus de control (WL) no está activado, los transistores de acceso M₅ y M₆ desconectan la celda de los buses de datos. Los dos visitables formados por M₁ – M₄ mantendrán los datos almacenados mientras dure la alimentación eléctrica.

EDRAM

significa "integración DRAM", un condensador basado en memoria dinámica de acceso aleatorio normalmente integrado en el mismo o morir en el mismo paquete que el principal o el procesador ASIC,

(

es un circuito integrado hecho a la medida para un uso en particular)

a diferencia de los módulos de DRAM y SRAM externos basados en transistores normalmente se utiliza para depósitos .

Incorporación de los permisos de autobuses mucho más amplia y mayores velocidades de operación, y debido a la densidad mucho más alta de memorias DRAM en comparación con SRAM, mayores cantidades de memoria potencialmente pueden ser utilizados. Sin embargo, la diferencia en los procesos de fabricación que la integración en el chip difícil, por lo que varios han muere a envasar en un chip, elevando los costosos últimos acontecimientos superar esta limitación utilizando procesos CMOS estándar para la fabricación de Edram .

ESDRAM

es un acrónimo que puede contener múltiples significados que se enumeran a continuación.

ESDRAM

Enhanced Synchronous Dinamicé Random Access Memory

Puede haber muchos significados popular para ESDRAM con la definición más popular es el de Mejora de la memoria síncrona dinámicas de acceso aleatorio

Más definiciones ESDRAM

Hemos buscado en nuestra base de datos y no pudo encontrar una definición que no sea mejorada síncrono de memoria de acceso aleatorio dinámico para ESDRAM

VRAM

Video Random Access Memory (VRAM) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Portad.

En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba así a la memoria sólo accesible directamente por el procesador gráfico, debiendo la CPU cargar los datos a través de él. Podía darse el caso de equipos con más memoria VRAM que RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KB de RAM y 128 KB de VRAM).

SGRAM

es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM es de un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM.

Tiene mejores características que las FPM, EDO, VRAM, WRAM y SDRAM.

LAS SGRAM

Y las SDRAM se volvieron los tipos de DRAM más populares a finales de los 90 y principios del año 2000.

SGRAM es SDRAM especializado que es un reloj sincronizado con memoria de acceso aleatorio adecuado para los adaptadores de gráficos de vídeo.

A diferencia de VRAM (Video RAM) la SGRAM es soltera, pero portado simula dos operaciones de memoria puerto. Para la entrega rápida de los datos de video y gráficos, la SGRAM emplea enmascarados escribir y poco enmascaramiento para que los datos seleccionados para ser leída y modificada en una sola operación en lugar de secuencialmente utilizando la lectura, actualización, y las operaciones de escritura.

La SGRAM también utiliza bloques que facilita escribir más rápido de la imagen, al permitir editar los datos poco, para ser manipulados de manera más eficiente.

Un ejemplo bien conocido de la SGRAM utilizado para una tarjeta de memoria de vídeo Matrox

WRAM

MystiquVentana de RAM (WRAM), sin relación con Microsoft Windows, es muy RAM de vídeo de alto rendimiento que es de doble puerto y tiene un ancho de banda un 25% más de VRAM, pero cuesta menos. Tiene características que lo hacen más eficiente la lectura de datos para su uso en la casilla llena y el dibujo de texto. Puede ser utilizado para la resolución muy alta (por ejemplo, 1600 x 1200 píxeles) con proyección de color verdadero. Se utiliza en la tarjeta de vídeo Matrox Millennium.

SO-RIMM

no es un acrónimo y es una marca registrada de Rambus incorpora por Rambus directa o módulos DRAM. RIMM es un tipo de memoria de la computadora que se asemeja a los módulos DIMM, sin embargo, es de 184-pin y está disponible con soporte para ECC y ECC-no a velocidades de hasta 800MHz. módulos RIMM se utilizan comúnmente en el procesador Intel Pentium 4 placas madres.

A diferencia de la mayoría de los otros tipos de memoria de la computadora, los equipos que requieren de apoyo RIMM una señal continua. Si un socket de memoria se deja vacío, el equipo no funcionará correctamente. Por lo tanto, los usuarios deben utilizar los módulos C-RIMM en cualquiera de las ranuras que no disponen de módulos RIMM.

SO-RIMM

es un módulo de 160 pines y es un tipo de memoria de uso general en los ordenadores portátiles.