SDRAM
SDRAM Síncronos Dinamice Random Access Memory (SDRAM) es una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) que tiene una interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador. El reloj también permite controlar una máquina de estados finitos interna que controla la función de "pipeline" (segmentación) de las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrón de operación más complejo que la DRAM asíncrona, que no tiene una interfaz de sincronización.
SDR SDRAM
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A pesar de SDRAM DDR es ahora el tipo de memoria de más bajo costo disponibles, SDR SDRAM se sigue utilizando hoy en día.
Altera y sus socios proporcionan soluciones completas de sistemas, incluyendo la garantía técnica, soporte de software, tableros de demostración, la propiedad intelectual (IP) núcleos, y diseños de referencia para ayudarle con éxito interfaz de Altera ® FPGAs a los recuerdos de DEG. La tabla 1 recoge SDR SDRAM de memoria de interfaz de ayuda al rendimiento en Fugas de Altera Cuadro 1. SDR SDRAM Interfaz de memoria de rendimiento de Apoyo
SDR SDRAM de dispositivos de interfaz de rendimiento
(Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAMcompuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 nublé.
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intelcon su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio.
DRDRAM
Definición: Directa Rambús DRAM: una arquitectura de memoria RAM totalmente nuevo, con control del bus (el Rambus Channel Máster) y una nueva vía (el Canal de Rambus) entre los dispositivos de memoria (el Canal de Rambus esclavos).Un solo canal Rambus tiene el potencial de llegar a los 500 Mbps en modo de ráfaga, un 20 - aumento de veces en DRAM
SLDRAM
Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono(SLDRAM), o Memoria de acceso al azar dinámica de Synclink, es de alta velocidad memoria de acceso al azar similar a DRDRAM, no obstante sin el diseño propietario. Fue desarrollado por el consorcio de SLDRAM, que consiste en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria del ordenador. Es abra el estándar y no requiere los honorarios que licencian que son requeridos por la tecnología de DRDRAM.
Esta tecnología entrega funcionamiento grandemente mejorado sobre SDRAM tecnología sin el uso totalmente de una nueva arquitectura al igual que el DRDRAM. La llamada de las especificaciones para a 64-bitautobús funcionamiento en un reloj de 200 megaciclos frecuencia. Esto es alcanzada por todas las señales que están en la misma línea y de tal modo que evitan la época de sincronización de líneas múltiples.
FPM DRAM
Siglas de Fasta Page Modo,memoria en modo paginado, el diseño más común de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo FAT Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término “fas” fue añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más
Statu Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que, a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica |
DISEÑO
A six-transistor CMOS SRAM cell.
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cuál fuera la última posición de memoria leída o escrita. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un visitable. Este visitable tendrá dos estados, utilizados para almacenar un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al vistéale durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM típica utilizará seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, podemos encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o más transistores por bit.[1] [2] [3] Esto es utilizado para implementar más de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video.
Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el tamaño de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricación, al poder implementar más celdas en una misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres transistores[4] [5] o un solo transistor estaríamos hablando de memoria DRAM, no SRAM.
El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los márgenes de ruido.
Modos de operación de una SRAM
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operación: Sandy, en el cual el circuito está en reposo, Reading o lectura, durante el cual los datos son leídos desde la memoria, y rating o escritura, durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.
Si bus de control (WL) no está activado, los transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos visitables formados por M1 – M4 mantendrán los datos almacenados mientras dure la alimentación eléctrica.
EDRAM
significa "integración DRAM", un condensador basado en memoria dinámica de acceso aleatorio normalmente integrado en el mismo o morir en el mismo paquete que el principal o el procesador ASIC, (
a diferencia de los módulos de DRAM y SRAM externos basados en transistores normalmente se utiliza para depósitos . Incorporación de los permisos de autobuses mucho más amplia y mayores velocidades de operación, y debido a la densidad mucho más alta de memorias DRAM en comparación con SRAM, mayores cantidades de memoria potencialmente pueden ser utilizados. Sin embargo, la diferencia en los procesos de fabricación que la integración en el chip difícil, por lo que varios han muere a envasar en un chip, elevando los costosos últimos acontecimientos superar esta limitación utilizando procesos CMOS estándar para la fabricación de Edram .
ESDRAM
es un acrónimo que puede contener múltiples significados que se enumeran a continuación.
ESDRAM
Enhanced Synchronous Dinamicé Random Access Memory
Puede haber muchos significados popular para ESDRAM con la definición más popular es el de Mejora de la memoria síncrona dinámicas de acceso aleatorio
Hemos buscado en nuestra base de datos y no pudo encontrar una definición que no sea mejorada síncrono de memoria de acceso aleatorio dinámico para ESDRAM
Video Random Access Memory (VRAM) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Portad.
En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba así a la memoria sólo accesible directamente por el procesador gráfico, debiendo la CPU cargar los datos a través de él. Podía darse el caso de equipos con más memoria VRAM que RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KB de RAM y 128 KB de VRAM).
SGRAM
es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM es de un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM. Tiene mejores características que las FPM, EDO, VRAM, WRAM y SDRAM.
LAS SGRAM
Y las SDRAM se volvieron los tipos de DRAM más populares a finales de los 90 y principios del año 2000. SGRAM es SDRAM especializado que es un reloj sincronizado con memoria de acceso aleatorio adecuado para los adaptadores de gráficos de vídeo.
A diferencia de VRAM (Video RAM) la SGRAM es soltera, pero portado simula dos operaciones de memoria puerto. Para la entrega rápida de los datos de video y gráficos, la SGRAM emplea enmascarados escribir y poco enmascaramiento para que los datos seleccionados para ser leída y modificada en una sola operación en lugar de secuencialmente utilizando la lectura, actualización, y las operaciones de escritura.
La SGRAM también utiliza bloques que facilita escribir más rápido de la imagen, al permitir editar los datos poco, para ser manipulados de manera más eficiente.
Un ejemplo bien conocido de la SGRAM utilizado para una tarjeta de memoria de vídeo Matrox
WRAM
MystiquVentana de RAM (WRAM), sin relación con Microsoft Windows, es muy RAM de vídeo de alto rendimiento que es de doble puerto y tiene un ancho de banda un 25% más de VRAM, pero cuesta menos. Tiene características que lo hacen más eficiente la lectura de datos para su uso en la casilla llena y el dibujo de texto. Puede ser utilizado para la resolución muy alta (por ejemplo, 1600 x 1200 píxeles) con proyección de color verdadero. Se utiliza en la tarjeta de vídeo Matrox Millennium.
SO-RIMM
no es un acrónimo y es una marca registrada de Rambus incorpora por Rambus directa o módulos DRAM. RIMM es un tipo de memoria de la computadora que se asemeja a los módulos DIMM, sin embargo, es de 184-pin y está disponible con soporte para ECC y ECC-no a velocidades de hasta 800MHz. módulos RIMM se utilizan comúnmente en el procesador Intel Pentium 4 placas madres.
A diferencia de la mayoría de los otros tipos de memoria de la computadora, los equipos que requieren de apoyo RIMM una señal continua. Si un socket de memoria se deja vacío, el equipo no funcionará correctamente. Por lo tanto, los usuarios deben utilizar los módulos C-RIMM en cualquiera de las ranuras que no disponen de módulos RIMM.
SO-RIMM
es un módulo de 160 pines y es un tipo de memoria de uso general en los ordenadores portátiles.
